硅片甩干機(jī)廠家分析刻蝕技術(shù)是在半導(dǎo)體工藝,按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。
干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學(xué)兩種過程平衡的結(jié)果。在半導(dǎo)體刻蝕工藝中,存在著兩個(gè):離子銑是一種純物理刻蝕,可以做到各向異性刻蝕,但不能進(jìn)行選擇性刻蝕;而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對(duì)這兩種過程進(jìn)行折中,得到目前廣泛應(yīng)用的一些干法刻蝕技術(shù)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點(diǎn)。反應(yīng)離子刻蝕通過活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。硅片甩干機(jī)廠家硅片刻蝕工藝中用zui廣泛的主流刻蝕技術(shù)。
干法刻蝕借助等離子體中,產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常,氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù),二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過刻蝕,或者是形成了圖形線條,如多晶硅條、鋁條等,或者是裸露了硅本體,為將來的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。
濕刻蝕,zui普遍、也是設(shè)備成本zui低的蝕刻方法。其影響被蝕刻物之蝕刻速率的因素有三:蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌之有無。定性而言,增加蝕刻溫度與加入攪拌,均能有效提高蝕刻速率;但濃度之影響則較不明確。